CuWサブマウント
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概要
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高出力LDモジュールのヒートシンク用途のサブマウントです。 LD接合時のアライメントおよび効率的な熱引きを実現するためのシャープエッジおよび反りのコントロールが可能です。 LD接合エリアへのAuSn蒸着においても、余剰ハンダのコントロールも可能です。 |
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特長
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材 料
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| 組 成 |
W90/Cu10 |
| 熱伝導率 |
170W/m・K |
| 熱膨張率 |
6.5ppm/℃ |
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寸法および精度
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| 長 さ |
右表参照 |
| 幅 |
| 厚 み |
| 面粗さ |
Ra<0.4 |
| 反 り |
5.0μm以下 |
| エッジR |
20.0μm以下 |
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メタライゼーション
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| 全 面 |
Ni 1.0-5.0μm/Au 0.1-0.3μm |
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AuSnはんだ
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| 組 成 |
Au75/Sn25(wt%) |
| 厚 み |
5μm ±1μm |
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| 拡大写真 |
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その他オプション
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| 材料変更（W80 / Cu20） |
| スパッタ膜の追加（Ti, Pt, Au 等） |
| 段付け、穴あけ等の形状加工 |
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| ※上記標準仕様以外のご要望については、別途ご相談下さい。 |
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標準製品寸法（単位：mm）
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| 長さ（±0.05） | 幅（±0.05） | 厚み（±0.02） |
|---|
| 10.6 |
2.0 |
0.20
0.25
0.30
0.40 |
| 3.0 |
| 4.0 |
| 5.6 |
5.6 |
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市場・用途
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| 産業用レーザー |
・溶接、切断、マーキング、表面処理(アニール等)用レーザー機器など
・医療用レーザー機器(眼科治療、脱毛処理)、内視鏡など |
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| 半導体 |
| ・パワー半導体、MPUなど |
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| デジタル機器 |
| ・レーザープリンター、デジタル複合機など |
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