絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント｜株式会社テクニスコ

絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント

概要

高出力LD モジュールヒートシンク用途のサブマウントです。Cu-AlN-Cuの3層構造により、高熱伝導率と絶縁性を両立しています。また、熱膨張率においても、Cuめっき部の厚みを最適値にコントロールすることにより、LD素子とのCTEマッチングが可能で高出力化、長寿命化を可能とします。なお、形状においても、クリティカルエッジ部に対してはプルバックがないため、自由度の高い設計が可能です。

特長

●高熱拡散性と高熱伝導率を実現し、絶縁性を確保

・CuとAlNの複合構成とし、高熱伝導率と絶縁性を両立

●熱膨張係数(CTE)をコントロール

・CuとAlNの厚みを最適値に設定し、LD素子とのCTEマッチングが可能

●マルチエミッター用途に最適

●LD搭載面クリティカルエッジ部のプルバックなし

・Pサイドダウン型LDに最適

●AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能

●シャープエッジによりLDのアライメント性を向上

・エッジR 20μm以下

特性比較データ<参考値>

	単位	Cu-AlN-Cu	AlN	CuW（10/20）
材料特性	−	絶縁性	絶縁性	導電性
熱伝導率	W/m・K	190〜250※	170	180/200
熱膨張率	ppm/℃	6〜10※	4.6	6.5/8.3
電気抵抗率	Ω・m	-	-	5.3/4.0 (×10-8)
最大使用電圧	V	<200	<200	NA
比誘電率（@1MHz ）	-	9	9	NA
誘電体損失（ Tanδ ）	-	5×10-4	5×10-4	NA

※設計によりコントロールが可能

市場・用途

産業用レーザー

・溶接、切断、マーキング、表面処理(アニール等)用レーザー機器など

・医療用レーザー機器(眼科治療、脱毛処理)、内視鏡など

半導体

・パワー半導体、MPUなど

デジタル機器

・レーザープリンター、デジタル複合機など