ガラスへの貫通配線によりデバイスの小型化が可能
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●シリコンウェーハと陽極接合が可能
接着剤を使用しない工程によりアウトガス問題を解消 |
| ●優れた高周波特性 |
・低浮遊容量（対TSV）
・低インダクタンス
・低電気抵抗（金属ロッドを採用） |
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MEMSデバイスのWL-CSPに最適
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| ●高精度なViaピッチ精度が可能 |
・累積ピッチ ＜±20μm/φ200 mmウェーハ
・累積Via間 ＜±20μm |
| ●φ200mmウェーハまで対応可能 |
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| 標準仕様 |
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| 材 料 |
テンパックス、SW-YY |
| ガラスサイズ |
≦φ200mm |
| 最小厚み |
0.3mm |
| 最小ビア径 |
φ0.15mm |
| ビア径公差 |
±0.02mm |
| 最大アスペクト比 |
1 : 5 |
| Via材料 |
Si、W（タングステン） |
| Via気密性能 |
1×10-9 Pa・m3/s |
| ガラス−Via段差 |
標準 |
0μm〜3.0μm |
| オプション1 |
0μm〜1.0μm |
| オプション2 |
-3.0μm〜0μm |
| Via形状 |
ストレート |
| キャビティー加工 |
可能 |
| メタライズパターン |
可能 |
| バンプ形成 |
可能 |
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| ※上記標準仕様以外のご要望については、別途ご相談下さい。 |
