メタライズ+バンプ形成
- 基板 ガラス
- 下地 Ｔｉ 又はCr／Pt／Au
- バンプ Cu φ0.15mm 厚み30μm
Cuメッキ表面 6μm
Cuメッキ底面 2μm
メタライズ
- 解説：
- ガラス、セラミック、Ｓｉ等のパターンメタライズ処理。
成膜構成：Ti／Pt／Au、Cr／Pt／Au、Cr／Ni／Au
尚、厚み30μmレベルの部分メッキも平面、凹凸問わず、対応可能です。
LD用CuWサブマウント AuSn
面粗度：Ra 0.38μm
AuSn 溶解前
AuSn 溶解後
バリ0.005mmMax
AuSn蒸着
AuSn蒸着
- 解説：
- あらゆる製品（セラミック、金属部品、組立て部品形状）へのAuSn蒸着も対応しております。
